失效分析當(dāng)產(chǎn)品喪失規(guī)定的功能，即被認定為失效。失效分析的過程是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過分析和驗證，模擬使用場景并進行問題復(fù)現(xiàn)，找出失效原因，挖掘其失效機理。尋找導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過程，終的目的還是希望通過確認失效模式來分析失效機理，明確失效原因，終給出預(yù)防對策，以減少或避免失效的再次發(fā)生。
失效分析的原則：先進行非破壞性分析，后進行破壞性分析；先外部分析，后內(nèi)部（解剖）分析；先調(diào)查了解與失效有關(guān)的情況（應(yīng)用條件、失效現(xiàn)象等），后分析失效器件。
分析方法| 分析類別 | 分析方法 | 分析細節(jié)及目的 |
|---|---|---|
| 非破壞性分析 | 電性分析 | 利用集成測試機檢測芯片電性參數(shù)，確定數(shù)據(jù)異常類型，進而確定芯片狀態(tài) |
| X光分析 | 利用X射線得到的圖像檢查鍵合線，芯片連接和引線框架，空隙等，確定失效點 | |
| XIV曲線分析 | 利用XMOS，BJT或IC的半導(dǎo)體參數(shù)測量，與良品進行對比，確定差異范圍 | |
| 光學(xué)顯微鏡 | 觀察器件表面是否存在缺陷 | |
| 熱輻射傳導(dǎo)異常偵測 | 偵測漏電發(fā)生是否均勻，可找出局部漏電較大位置，定向分析缺陷 | |
| 激光束電阻異常偵測 | ||
| 破壞性分析 | 開蓋分析 | 利用化學(xué)或物理方法去除芯片外殼的保護層，裸露芯片，確定芯片或引線鍵合缺陷 |
| 彈坑實驗 | 檢查焊線焊點是否對芯片金屬層以下的各層結(jié)構(gòu)造成損傷 | |
| 層次去除 | 觀察器件下層次是否出現(xiàn)異常 | |
| 掃描式電子顯微鏡 | 更大的放大倍率，可以清晰觀察樣品表面或切面結(jié)構(gòu);并分析表面所含元素成分 | |
| 聚焦離子束顯微鏡 | 可局部定點挖取樣品，觀察缺陷處器件結(jié)構(gòu)以及形貌 |
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