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SGT MOSFET

矽普半導體推出SGT系列MOSFETs，與傳統(tǒng)溝槽型MOSFET相比，SGT MOSFET采用了更優(yōu)的工藝設計，內(nèi)阻低、開關(guān)損耗小，同等功耗下芯片面積可減少40%，EAS能力更強，具有高穩(wěn)定性和可靠性、高開關(guān)速度、更優(yōu)異的FOM等優(yōu)點。我們推出TO-252、TO-263、DFN2*2、DFN3*3、DFN5*6、SOP-8多種封裝外形，為客戶設計提供更多更優(yōu)選擇。SGT MOSFE作為開關(guān)器件應用于新能源電動車、新型光伏發(fā)電、節(jié)能家電等領(lǐng)域的電機驅(qū)動系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng)，是核心功率控制部件。

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Part Number Package Type Vds Vgs ID Ta=25℃ VTH Ron@Vgs=10V Typ Ron@Vgs=4.5V Typ Status
(V) (V) (A) (V) (mΩ) (mΩ)
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